q5 5 11 6 qoc
.model qoc NPN(Is=800.0E-18 Bf=34.49E3 Cjc=1E-15 Tr=79.34E-9)
dp 4 3 dx
rp 3 4 6.122E3
model dx B(Is = 800.0E-18 Rs = 1)
.ends
Библиотека моделей магнитопроводов
Ниже приведена сокращенная версия библиотеки моделей OrCAD для магнитопроводов. Параметры в библиотеке ОУ были получены из справочных данных для каждого магнитопровода. Модель магнитного материала описана в работе Jiles, D. С, and D. L. Atherton, 1986, Theory of ferromagnetic hysteresis, Journal of Magnetism and Magnetic Materials 61:48-60. Параметры модели для феррита (Ferroxcube 3С8) были получены с использованием кривых гистерезиса В(Н) из каталога изготовителя. Затем была создана библиотека для каждого типоразмера магнитопровода из справочных данных. Обратите внимание, что магнитопровод характеризуется только типоразмером.
Используемый пример:
K2 L2 .99 K1409PL3C8
Примечания:
1. Использование компонента K со ссылкой на модель (ранее он применялся только для катушек с взаимной связью) изменяет смысл величины L: теперь это не значение индуктивности, а число витков обмотки.
2. Компонент К устройства может иметь только одну катушку индуктивности, как в предшествующем примере, где моделируется мощный дроссель.
Схемный файл:
+
| Demonstration of power inductor B-H curve
| To view results with Prove (B-H curve) :
| 1) Add Trace for B(K1)
| 2) set X-axis variable to H(K1)
| Probe x-axis unit is Oersted
| Probe y-axis unit is Gauss
|.tran .1 4
| igen0 0 1 sin (0.1amp 1Hz 0) ; Generator: starts with 0.1 amp sinewave, then
| igen1 0 1 sin(0.1amp 1Hz 1); +0.1amps, starting at 1 second
| igen2 0 1 sin(0.2amp 1Hz 2) ; +0.2 amps, starting at 2 seconds
| igen3 0 1 sin(0.8amp 1Hz 3) ; +0.4 amps, starting at 3 seconds
|RL 1 0 1ohm ; generator source resistance
| LI 1 0 20 ; inductor with 2 0 turns
|K1 LI .9999 K528T500 ; Ferroxcube torroid core
|.model K528T500 3C8 CORE (Ms = 415 .2K A=44.82 C=.4112 K=25.74)
|+ AREA=1.17 PATH = 8.49)
| options it15=C
|.probe
|.end
+
Магнитопровод Ferroxcube (горшок): феррит 3C8
.model K3019PL_ Core(MS=415.2K A=44.82 C=.4112 K=25.74
+ Area=1.38 Path=4.52)
Прямоугольный магнитопровод Ferroxcube: феррит 3C8
.model KRM8PL_3C8 Core(MS=415.2K A=44.82 C=.4112 K=25.74
+ Area=.630 Path = 3.84)
Тороидальный магнитопровод Ferroxcube: феррит 3C8
.model K502T300_3C8 Core (MS = 415.2K A=44.82 C=.4112 K=25.74
+ Area=.371 Path = 7.32)
.model K528T500_3C8 Core(MS=415.2K A=44.82 C=.4112 K=25.74
+ Area = 1.17 Path = 8.49)
Библиотека параметров моделей транзисторов MOSFET (для «мощных» MOSFET)
Ниже приведена сокращенная версия библиотеки моделей OrCAD для мощных полевых транзисторов (MOSFET). Параметры в этой библиотеке моделей были получены из справочных данных для каждого компонента. Характеристики каждого компонента задавались с использованием опции Parts. Транзисторы могут также характеризоваться без использования Parts следующим образом:
LEVEL Устанавливается равным 3 (прибор с коротким каналом) ТОХ Определяется классом затвора L, LD, W, WD Полагаем L=2u (вычисляется из входной емкости) XJ, NSUB Отображает технологию изготовления IS, RD, RB Определяется из параметра «прямое падение на диоде исток-сток» или из зависимости Idr от Vsd RS Определяется из параметра Rds(on) RDS Определяется из параметра или графика Idss VTO, UO, THETA Определяется из семейства выходных характеристик Ids(Vds) с шагом по параметру Vgs ETA, VMAX, CBS Устанавливается для нулевого эффекта CBD, PB, MJ Определяется из графика зависимости емкости от Vds RG Определяется из параметров времени нарастания и времени спада или из временных диаграмм CGSO, CGDO Определяется из заряда затвора задержки включения и выключения и времени нарастания
Примечание: При описании компонента в вашем схемном файле убедитесь, что узлы истока и подложки соединены, поскольку это осуществляется в реальных устройствах. НЕ ВКЛЮЧАЙТЕ значения для параметров L, W, AD, AS, PD, PS, NRD или NDS! Программа PSpice задает эти значения по умолчанию в командах библиотечной модели. Конечно, вы НЕ ДОЛЖНЫ возвращаться к значениям по умолчанию, если задаете опции с помощью инструкции .OPTIONS, например, если используете
M17 15 23 7 7 IRF150
Изготовители «мощных» МОП-транзисторов сопровождают их относительно законченным набором нормированных статических и динамических характеристик для моделирования. Моделируются следующие эффекты: передаточные характеристики в прямом направлении на постоянном токе, характеристики управления затвором и задержки переключения, сопротивление во включенном состоянии и влияние паразитных обратных диодов. Не смоделированы предельные значения, связанные с выходом прибора из строя (например для случая пробоя при высоком напряжении) и с областью безопасной работы (например при превышении допустимой рассеиваемой мощности) и с шумом.
Для переключений при больших токах советуем вам включать в схемный файл индуктивные элементы в цепи истока и стока. При этом будут смоделированы выбросы напряжения из-за di/dt. Согласно справочным данным компании International Rectifier (1985), рекомендуется использовать следующие значения индуктивностей вывода
ТО-204 (модификация ТО-3): исток = 12,5 нГн, сток = 5,0 нГн
ТO-220: исток = 7,5 нГн, сток = 3,5...4,5 нГн
.model IRF15 0 NMOS(Level=3 Gamma=0 Delta=0 Eta=0 Theta=0 Kappa=0
+Vmax =0 Xj=0
+ Tox=100n Uo=600 Phi=.6 Rs=1.624m Kp=20.53u W=.3 L=2u Vto=2.831
+ Rd=1.03m Rds=444.4K Cbd=3.229n Pb=.8 Mj=.5 Fc=.5 Cgso=9.027n
+ Cgdo=1.679n Rg=13.89 Is=194E-18 N=1 Tt=288n)
Int'l Rectifier pid=IRFC150 case=T03
88-08-25 bam creation
.model IRF914 0 PMOS(Level=3 Gamma=0 Delta=0 Eta=0 Theta=0 Kappa=0 +Vmax =0 Xj = 0
+ Tox=100n Uo=3 00 Phi=.6 Rs = 70.6m Kp=10.15u W=1.9 L=2u Vto=-3.67
+ Rd=60.6 6m Rds=444.4K Cbd=2.141n Pb=.8 Mj=.5 Fc=.5 Cgso = 877.2p
+ Cgdo=369.3p Rg=.811 Is=52.23E-1.8 N=2 Tt=140n)
Int'l Rectifier pid=IRFc9140 case=T03
bam creation$
Цифровые компоненты
7400 четыре 2-входовых положительных И-НЕ
Источник: The TTL Data Book, Vol. 2,1985, Texas Instruments.
.subckt 7400 А В Y
+ . optional: DPWR=$G_DPWR DGND=$G_DGND
+ params: MNTYMXDLY=0 IO_LEVEL=0
U1 nand(2) DPWR DGND
+ А В Y
+ D_00 IO_3TD MNTYMXDLY= {MNTYMXDLY} IO_LEVEL= {IO_LEVEL}
.ends
.model D_00 ugate (
+ tplhty=Hns tplhmx=22ns
+ tphlty=7ns tphlmx=15ns
+ )
7401 четыре 2-входовых положительных И-НЕ с открытым коллектором
Источник: The TTL Data Book, Vol. 2,1985, Texas Instruments.
.subckt 7401 А В Y
+ optional: DPWR=$G_DPWR DGND=$G_DGND
+ params: MNTYMXDLY=0 IO_LEVEL=0
U1 nand(2) DPWR DGND
+ А В Y
D_01 IO_STD_OC MNTYMXDLY={MNTYMXDLY} IO_LEVEL= {IO_LEVEL}
.ends
.model D_01 ugate ( + tplhty=35ns tplhmx=55ns
+ tphlty=8ns tphlmx=15ns
+ )
7402 четыре 2-входовых ИЛИ-НЕ
Источник: The TTL Data Book, Vol. 2, 1985, Texas Instruments.
.subckt 7402 А В Y
+ optional: DPWR=$G_DPWR DGND=$G_DGND
+ params: MNTYMXDLY= 0 IO_LEVEL=0
U1 nor(2) DPWR DGND
+ А В Y
D_02 IO_STD MNTYMXDLY={MNTYMXDLY} IO_LEVEL= {IO_LEVEL}
.ends
.model D_02 ugate (
+ tplhty=12ns tplhmx=22ns
+ tphlty=8ns tphlmx=15ns
+ )
7403 четыре 2-входовых положительных И-НЕ с открытым коллектором
Источник: The TTL Data Book, Vol. 2,1985, Texas Instruments.
.subckt 7403 А В Y
+ optional: DPWR=$G_DPWR DGND=$G_DGND
+ params: MNTYMXDLY=0 IO_LEVEL=0
U1 nand(2) DPWR DGND
+ А В Y
+ D_03 IO_STD_OC MNTYMXDLY={MNTYMXDLY} IO_LEVEL={IO_LEVEL}
.ends
.model D_03 ugate (
+ tplhty=:35ns tplhmx=45ns
+ tphlty=8ns tphlmx=15ns
+ )
7404 шесть инверторов
Источник: The TTL Data Book, Vol. 2,1985, Texas Instruments.
.subckt 7404 A Y
+ optional: DPWR=$G_DPWR DGND = $G_DGND
+ params: MNTYMXDLY= 0 IO_LEVEL=0
U1 inv DPWR DGND
+ AY
+ D_04 IO_STD MNTYMXDLY={MNTYMXDLY} IO_LEVEL={IO_LEVEL}
.ends
.model D_04 ugate(
+ tplhty=12ns tplhmx=22ns
+ tphlty=8ns tphlmx=15ns
+ )
7405 шесть инверторов с открытым коллектором
Источник: The TTL Data Book, Vol. 2,1985, Texas Instruments.
.subckt 7405 A Y
+ optional: DPWR=$G_DPWR DGND=$G_DGND
+ params: MNTYMXDLY=0 IO_LEVEL=0
U1 inv DPWR DGND
+ AY
+ D_05 IO_STD_OC MNTYMXDLY={MNTYMXDLY}
IO_LEVEL={IO_LEVEL}
.ends
.model D_05 ugate (
+ tplhty=40ns tplhmx=55ns
+ tphlty=8ns tphlmx=15ns
+ )
7406 шесть буферов/драйверов с инверсными высоковольтными выходами и открытым коллектором
Источник: The TTL Data Book, Vol. 2, 1985, Texas Instruments.
.subckt 7406 A Y
