Ах да, и ещё, конечно: родные мои, дорогие корейские друзья! Ну уберите вы ради всего святого и всех богов свой ЧУДОВИЩНЫЙ ЛОГОТИП с морды лица коммуникаторов! Ладно там - мониторы или холодильники, но коммуникаторы! Миниатюрные гаджеты, чья элегантность настолько хрупка, что сводится на нет любым неосторожным жестом. Как можно лепить анфас логотип ИЗ СЕМИ БУКВ?! Ну где же это такое видано?! Посмотрите на Apple - бесспорного законодателя гипермодного дизайна (продажи говорят сами за себя): хрестоматийно выигрышный Надкусан, тем не менее, скромно убран на заднюю крышку айфонов и айподов.
Можно возразить, что вон Sony и HTC также лепят анфас свои логотипы. Ну так у них же ТРИ и ЧЕТЫРЕ буквы в названии, а не СЕМЬ! Неужели же разница не чувствуется? И LG лепит, потому что ДВЕ буквы и короткая надпись не уродует морду миниатюрного КПКшного лица! Надпись SAMSUNG, занимающая половину всей ширины коммуникатора - это кошмар дизайна и маркетинга. Загляните на форумы мира: половина пользователей задают один и тот же вопрос: "Как стереть логотип с лицевой стороны гаджета?".
Впрочем, я в отделе корпоративного дизайна "Самсунга" не работаю, так что и распинаться нет нужды. Будем считать - дружеские пожелания.
Сегодня и завтра я пишу большую статью для "Бизнес-Журнала" о банкротстве американской компании Blockbuster. Был бы очень признателен и благодарен читателям, если бы они часов до 9 вечера отписались по максимуму на форуме о собственном видении будущего различных форм проката (в частности и дистрибуции - в целом) видеопродукции. Как вы знаете, форм этих существует множество:
- классический прокат (заплатил за просмотр - унес домой 2-3 кассеты - посмотрел - вернул - заплатил за просрочку, ежели была);
- схема Netflix: месячная абонентская плата - получи по почте 3 DVD за раз - смотри сколько хочешь - вернул по почте - получил новых 3 DVD из собственного списка предпочтений);
- схема Redbox: всунул кредитку в автомат - выбрал диск - забрал - посмотрел - закинул обратно в автомат;
- схема кабельного VOD: телевизионным пультом выбрал любой интересующий фильм - через минуту начинаешь просмотр - со счёта списали 4 доллара;
- схема Hulu (используется и в России сегодня ivi.ru): бесплатный просмотр стримминга в реальном времени с обязательным просмотром рекламы.
Всё это чисто американские наработки. Наша ivi.ru пытается использовать схему Hulu. Мое личное мнение - ни один из подходов (кроме классического проката, который будет отживать и дальше, и кабельного VOD) никогда не приживется в нашей цивилизации. Но мне бы хотелось выслушать и контраргументы. Если успеете изложить мысли сегодня, успею всё продумать и, по необходимости, отобразить в статье в полемическом плане.
Вечерний апдейт того же дня: 18:30 - позвонили из Азбуки Морзе: "Ваш телефон отремонтирован - можно забирать". Итак, что мы имеем в сухом остатке: Samsung AMOLED WiTu i8000 сдан в ремонт без уверенности в результате в понедельник 15:30, ремонт выполнен (замена тачскрина) - в среду 18:30. Кто-нибудь из читателей знает координаты книги рекордов Гиннесса? :)
Халькогенидная память - наше ближайшее будущее?
Автор: Юрий Ревич
Опубликовано 21 апреля 2010 года
В далёком 1923 году в семье польско-литовских эмигрантов Овшинских (Ovshinsky), обосновавшихся в городке Акрон, штат Огайо (США), родился мальчик, которого назвали Станиславом, но зарегистрировали под англизированной формой того же имени – Стэнфорд. Через полвека с лишним изобретателя-самоучку Стэна Овшинского, так и не получившего систематического образования, начнут называть "новым Эдисоном" и "Эйнштейном альтернативной энергетики".
В действительности Овшинский не отличился таким разнообразием интересов, как изобретатель фонографа, но в число его главных изобретений входят тонкоплёночные солнечные элементы, никельметаллгидридные (NiMH) аккумуляторы и батареи на твердом водородном топливе для транспорта. Но самое главное изобретение Овшинского, сделанное им ещё в начале 1960-х, и отмеченное знаменитым Гордоном Муром специальной статьей в Electronics в сентябре 1970 года, начинает внедряться в практику только сейчас. Зато – ускоренными темпами.
Речь идёт об устройствах памяти на основе фазового перехода в халькогенидных соединениях. Их называли по-разному: PCM (Phase Change Memory), CRAM (Chalcogenide Random Access Memory), OUM (Ovonic Unified Memory), но лучше других прижилась аббревиатура PRAM (формально - Phase-change Random Access Memory или "память с произвольным доступом на основе фазового перехода", неформально - Perfect RAM или "совершенная память с произвольным доступом").
Халькогениды - это соединения элементов шестой группы таблицы Менделеева (кислород, сера, селен, теллур, полоний) с более электроположительными элементами, например, с металлами. То есть, формально говоря, любой оксид (например, песок, двуокись кремния) – тоже халькогенид, но на практике это название чаще применяют лишь к соединениям с серой, селеном и теллуром (сульфиды, селениды, теллуриды).
Лучшая память на свете
Овшинский обнаружил, что такие материалы, как, например, сурьмид германия GeSb, способны резко менять физические свойства в зависимости от фазового состояния – аморфного или кристаллического. Если вещество нагреть выше температуры плавления и быстро остудить, оно переходит в аморфное состояние (стеклоподобное). Если его охлаждать медленно (специально немного подогревая ниже точки плавления), оно успевает закристаллизоваться. Да-да, именно этот эффект уже давно используется в перезаписываемых дисках CD-RW или DVD-RW, где отдельные участки-питы из довольно сложных по составу халькогенидных соединений (серебро-индий-сурьма-теллур либо германий-сурьма-теллур, GST) меняют в зависимости от режима нагрева-охлаждения свою прозрачность или коэффициент преломления. В PRAM, где применяются соединения типа GST (Ge2 Sb2Te5), используется другая величина – удельное электрическое сопротивление. Копейки там ловить не приходится: в аморфном состоянии сопротивление GST примерно на два-три порядка выше, чем в кристаллическом.
Микросхема PRAM фирмы BAE System может изгибаться без потери работоспособности.
Одно из важнейших преимуществ PRAM - в том, что будучи энергонезависимой, такая память обладает плотностью упаковки и, главное, быстродействием, близким к обычной динамической DRAM. Samsung озвучивала цифры тридцатикратного превышения производительности PRAM в сравнении с обычной flash-памятью. IBM с партнерами ещё в 2006 году говорила даже о пятисоткратном превышении (при вдвое меньшем потреблении электроэнергии), но отнесла возможность производства такой памяти на 2015 год. Для реальных девайсов напрямую сопоставить цифры трудно, поскольку многое зависит от структуры и режима конкретного устройства, но для ориентировки можно указать, что у выпускающихся фирмой BAE System (см. далее) чипов халькогенидной статической памяти (SRAM) чтение и запись занимают одинаковое время порядка 15-17 нс (25 нс гарантировано во всём диапазоне питания), что в среднем всего вдвое хуже, чем у распространенных типов SDRAM.
Это качество PRAM может перевернуть всю концепцию устройства современных компьютеров, подчиняющихся восходящему ещё к фон Нейману принципу иерархического построения памяти – от самой быстрой оперативной до медленных жёстких дисков, способных зато хранить информацию практически вечно. Если ОЗУ становится энергонезависимым при достаточной вместительности, то отпадает нужда не только в медленных накопителях: выдерните из розетки системный блок с такой памятью, и при последующем включении он восстановит всё в точности, как было. Можно сразу продолжить работу с того же места – отменяется само понятие загрузки системы.
Добавим, что, поскольку в PRAM, как и у flash-памяти, принцип хранения информации аналоговый (у flash – величина заряда, у PRAM - уровень проводимости ячейки), то в халькогенидных ячейках может быть реализовано хранение более, чем одного бита, аналогично тому, как это делается во многоуровневых ячейках (MLC) flash-чипов. Создание таких микросхем анонсировали Intel и STMicroelectronics в 2008 году.
И где всё это?
Трудности запуска этого типа памяти в производство тоже немалые, и, как видите, её внедрение растянулось без малого на полвека. Основные причины торможения – в трудности создания миниатюрных горячих зон в халькогенидной пленке с огромными плотностями тока, склонностью к взаимовлиянию и самопроизвольному фазовому переходу. PRAM, как и flash-память, деградирует в процессе перезаписи, правда, число допустимых циклов записи в существующих чипах на два-три порядка больше (108 против 105).
В 1999 году Овшинским была основана компания Ovonyx, которой из его основной компании, Energy Conversion Devices, были переданы основные патенты на технологии халькогенидной памяти. С 2000 года технологию PRAM лицензировали один за другим практически все крупные производители полупроводниковых компонентов и успешно, как они утверждают, работают на доводкой технологического процесса. И тем не менее, пока что судьба PRAM в ширпотребовской области в некотором роде напоминает судьбу OLED-дисплеев – заявлений от ведущих компаний отрасли масса, а конкретных устройств на своих столах мы так и не видим.
