Так как обновления происходят нечасто (примерно один раз в 64 миллисекунды), их воздействие на производительность памяти можно считать минимальным. Преимущество маскировки обновлений во время пустых циклов невелико, особенно если учесть то, что современные системы памяти используют для маскировки обновлений обмен данными между банками.
При установке 0T запросы данных тоже могут задерживаться, так как один пустой цикл заставляет контроллер памяти закрыть все открытые страницы! На обычных компьютерах операции чтения из памяти пользуются принципом пространственной локализации (spatial locality), который указывает на то, что при считывании одного бита данных велика вероятность считывания и следующего бита. Поэтому закрытие открытых страниц с помощью функции SDRAM Idle Limit ведет к снижению производительности.
С другой стороны, ограничение в 0 или 8 пустых циклов гарантирует более частое обновление содержимого памяти, что позволяет избежать потери данных, вызванной неполным обновлением ячеек памяти. Если вы заставите контроллер памяти чаще обновлять открытые страницы, это позволит удерживать страницы открытыми достаточно долго, чтобы добиться завершения операции.
При работе на обычном компьютере рекомендуем выбирать опцию Infinite, чтобы максимально задерживать обновление страниц. Это позволяет уменьшить количество обновлений и увеличивает пропускную способность памяти.
Для приложений, которые выполняют множество произвольных запросов (например, для серверов), рекомендуем выбирать опцию 0T, так как последующие запросы, скорее всего, будут выполняться другими страницами. Если открытые страницы будут закрываться для обновления, это подготовит их для следующего запроса. Увеличенное количество обновлений вполне компенсируется повышенной интеграцией данных.
Также вы можете увеличить значение функции Refresh Interval или Refresh Mode, чтобы повысить пропускную способность и поддерживать интеграцию данных в ячейках памяти. Так как очень большие интервалы обновления (например, 64 или 128 m sec) могут привести к потере данных в ячейках, настройка параметра SDRAM Idle Limit на 0T или 8T позволяет ячейкам памяти чаще обновляться, причем высока вероятность того, что подобные обновления будут происходить во время пустых циклов. В результате, как кажется, нам удается решить сразу две задачи, – увеличить время активации банка при высокой загрузке контроллера памяти и сделать обновления более частыми при простое контроллера памяти.
Однако в действительности этот способ не является предпочтительным, так как он зависит от возможности памяти к созданию пустых циклов для активации обновлений. Если ваша системная память подвергается большой нагрузке, у нее может не быть пустого цикла, который позволил бы активировать обновление. Это способно привести к потере данных в ячейках памяти.
При работе на обычном компьютере рекомендуем правильно настроить интервал обновления и выбрать опцию Infinite. Это позволит увеличить пропускную способность памяти путем максимальной задержки обновлений, а также сохранить интеграцию данных в ходе регулярных циклов обновления.
Для серверов рекомендуем правильно настроить интервал обновления и выбрать опцию 0T. Благодаря этому все открытые страницы будут обновляться при наличии пустого цикла.
DRAM Interleave Time (Время чередования DRAM)
Обычные опции: 0ms, 0.5ms.
Эта функция BIOS определяет размер дополнительной задержки между обращениями к банку памяти при использовании функции SDRAM Bank Interleave.
Конечно, чем меньше задержка, тем быстрее модуль памяти может переключаться между банками; это ведет к повышению производительности.
Поэтому рекомендуем настроить для данной опции минимально допустимое значение. В данном случае, это 0ms (дополнительная задержка между обращениями к банку отсутствует). Используйте настройку 0.5ms только в том случае, если у вас возникли проблемы со значением 0ms.
DRAM PreChrg to Act CMD
Обычные опции: 2T, 3T, 4T.
При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS (Row Address Strobe – Импульс адреса строки). Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS (Column Address Strobe – Импульс адреса столбца). Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.
Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Имеет место небольшая задержка перед активацией другой строки. Данная задержка называется tRP.
Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это третья цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2-3-4-7, задержка tRP для него будет равна 4 циклам.
Как и функция SDRAM Trp Timing Value, эта функция BIOS управляет временем обновления RAS (tRP). Под временем обновления подразумевается временной интервал между завершением команды Precharge и моментом, когда эта строка может быть активирована. Отсюда и возникло название опции DRAM PreChrg to Act CMD, которое является сокращением от DRAM Precharge Command to Activate Command (Команда между обновлением DRAM и активацией).
Если период RAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как активация всех строк задерживается. При уменьшении периода обновления до 2T производительность повышается, так как новая строка может быть активирована быстрее.
Однако времени обновления 2T может быть недостаточно для некоторых модулей памяти. При этом активная строка может потерять свое содержимое до возврата в банк памяти. Это приведет к потере или повреждению данных в момент, когда контроллер памяти пытается считать данные или записать их в активную строку.
Советуем уменьшить время обновления RAS до 2T, чтобы увеличить производительность. Если вы столкнетесь с проблемой стабильности системы, увеличьте значение параметра до 3T или 4T.
DRAM Ratio (CPU: DRAM) – Коэффициент DRAM (CPU: DRAM)
Обычные опции: 1:1, 3:2, 3:4, 4:5, 5:4.
Выбор опции полностью зависит от настройки функции DRAM Ratio H/W Strap или N/B Strap CPU As.
Если функция DRAM Ratio H/W Strap настроена как Low, будут доступны опции 1:1 и 3:4.
Если функция DRAM Ratio H/W Strap настроена как High, будут доступны опции 1:1 и 4:5.
Если функция N/B Strap CPU As настроена как PSB800, будут доступны опции 1:1, 3:2 и 5:4.
Если функция N/B Strap CPU As настроена как PSB533, будут доступны опции 1:1 и 4:5.
Если функция N/B Strap CPU As настроена как PSB400, будет доступна только опция 3:4.
Опции 1:1, 3:2, 3:4 и 4:5 обозначают доступные коэффициенты CPU-DRAM (или CPU: DRAM).
Обратите внимание на то, что, хотя процессор Pentium 4 имеет тактовую частоту шины 400 МГц, 533 МГц или 800 МГц, шина CPU в действительности работает с частотой 100 МГц, 133 МГц или 200 МГц, соответственно. Причина заключается в том, что шина Pentium 4 имеет шину Quad Data Rate (или QDR), которая передает в четыре раза больше данных, чем обычная шина.
В рекламных целях производители заявляют, что шина Pentium 4 имеет частоту 400 МГц, 533 МГц или 800 МГц, но на самом деле ее частота составляет 100 МГц, 133 МГц и 200 МГц, соответственно. Помните об этом при настройке данной опции BIOS.
Например, если вы задаете коэффициент 3:2 при использовании шины CPU 200 МГц (800 МГц QDR), шина памяти будет работать на частоте (200 МГц / 3) х х 2 = 133 МГц или 266 МГц QDR. Далее мы приведем другие примеры.
Если вы используете шину CPU 100 МГц (400 МГц DDR):
• и коэффициент 3:2, контроллер DRAM работает с частотой 66 МГц (или 133 МГц DDR);
• и коэффициент 5:4, контроллер DRAM работает с частотой 80 МГц (или 160 МГц DDR);
• и коэффициент 1:1, контроллер DRAM работает с частотой 100 МГц (или 200 МГц DDR);
• и коэффициент 4:5, контроллер DRAM работает с частотой 125 МГц (или 250 МГц DDR);
• и коэффициент 3:4, контроллер DRAM работает с частотой 133 МГц (или 266 МГц DDR).
Если вы используете шину CPU 133 МГц (533 МГц DDR):
• и коэффициент 3:2, контроллер DRAM работает с частотой 89 МГц (или 178 МГц DDR);
• и коэффициент 5:4, контроллер DRAM работает с частотой 106 МГц (или 213 МГц DDR);
• и коэффициент 1:1, контроллер DRAM работает с частотой 133 МГц (или 266 МГц DDR);
• и коэффициент 4:5, контроллер DRAM работает с частотой 166 МГц (или 333 МГц DDR);
• и коэффициент 3:4, контроллер DRAM работает с частотой 177 МГц (или 354 МГц DDR).
Если вы используете шину CPU 200 МГц (800 МГц DDR):
• и коэффициент 3:2, контроллер DRAM работает с частотой 133 МГц (или 266 МГц DDR);
