Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Имеет место небольшая задержка перед активацией другой строки. Данная задержка называется RAS Precharge Time или tRP.
Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это третья цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2-3-4-7, задержка RAS Precharge Delay для него будет равна 4 циклам.
Эта функция BIOS задает количество циклов, которое требуется для обновления RAS до активации другой строки. Если период RAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как активация всех строк задерживается. При уменьшении периода обновления до 2 производительность повышается, так как новая строка может быть активирована быстрее.
Однако времени обновления 2 может быть недостаточно для некоторых модулей памяти. При этом активная строка может потерять свое содержимое до возврата в банк памяти. Это приведет к потере или повреждению данных в момент, когда контроллер памяти пытается считать данные или записать их в активную строку.
Мы советуем вам уменьшить настройку опции SDRAM RAS Precharge Delay до 2, чтобы увеличить производительность. Если вы столкнетесь с проблемой стабильности системы, увеличьте значение параметра до 3 или 4.
SDRAM RAS Precharge Time (Время обновления SDRAM RAS)
Обычные опции: 2, 3, 4.
При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS. Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.
Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Имеет место небольшая задержка перед активацией другой строки. Данная задержка называется RAS Precharge Time или tRP.
Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это третья цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2-3-4-7, задержка RAS Precharge Delay для него будет равна 4 циклам.
Эта функция BIOS задает количество циклов, которое требуется для обновления RAS до активации другой строки. Если период RAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как активация всех строк задерживается. При уменьшении периода обновления до 2 производительность повышается, так как новая строка может быть активирована быстрее.
Однако времени обновления 2 может быть недостаточно для некоторых модулей памяти. При этом активная строка может потерять свое содержимое до возврата в банк памяти. Это приведет к потере или повреждению данных в момент, когда контроллер памяти пытается считать данные или записать их в активную строку.
Советуем уменьшить настройку опции SDRAM RAS Precharge Time до 2, чтобы увеличить производительность. Если вы столкнетесь с проблемой стабильности системы, увеличьте значение параметра до 3 или 4.
SDRAM RAS Pulse Width (Минимальное время активации строки SDRAM RAS)
Обычные опции: 4, 5, 6, 7, 8, 9.
При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS. Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.
Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Строка не может быть деактивирована до тех пор, пока не закончится период Minimum RAS Pulse Width (или tRAS).
Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это четвертая цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2-3-4-7, задержка tRAS для него будет равна 7 циклам.
Как и функция DRAM Act to PreCharg CMD, эта функция управляет минимальным временем активации строки банка памяти (tRAS). Под временем активации подразумевается период между активацией строки и моментом, когда данная строка может быть деактивирована.
Если период tRAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как деактивация всех активных строк задерживается. При уменьшении периода обновления активная строка может быть деактивирована быстрее.
Чтобы получить оптимальную производительность, используйте минимальное значение. Как правило, оно равно: CAS Latency (Время ожидания CAS) + tRCD + 2 цикла таймера. Например, если вы настроили CAS Latency на 2 цикла, а tRCD на 3 цикла, вы получаете значение, равное 7 циклам.
Если ваша система будет сообщать об ошибках или зависать, увеличьте значение tRCD на один цикл, чтобы стабилизировать работу.
SDRAM RAS-to-CAS Delay (Задержка SDRAM RAS-в-CAS)
Обычные опции: 2, 3, 4.
При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS.
Перед использованием сигнала CAS имеет место небольшая задержка. Так как задержка происходит между RAS и CAS, ее называют RAS-to-CAS Delay (Задержка RAS-CAS) или tRCD. После задержки несколько столбцов в одной строке могут быть активированы без повторения задержки, если только не активируется новая строка, или не обновляется столбец.
Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это вторая цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2-3-4-7, задержка RAS-to-CAS Delay для него будет равна 3 циклам.
Эта функция BIOS задает задержку между сигналами RAS и CAS. Так как задержка имеет место при обновлении и активации строки, ее уменьшение позволяет повысить производительность.
Советуем уменьшить настройку опции SDRAM RAS-to-CAS Delay до 3 или 2,
чтобы увеличить производительность. Но повышение производительности не будет таким же значительным, как при уменьшении времени ожидания CAS.
Если вы введете слишком низкое значение, контроллер памяти может создать сигнал CAS до того, как активная строка будет готова. Это может вызвать нестабильность в работе системы. Если вы столкнетесь с проблемой стабильности системы, увеличьте задержку.
Интересно: увеличение задержки RAS-to-CAS может позволить модулю памяти работать на более высокой частоте. Если вы планируете разогнать ваши модули памяти SDRAM, попробуйте увеличить задержку RAS-to-CAS.
SDRAM Row Active Time (Время активации строки SDRAM)
Обычные опции: 4, 5, 6, 7, 8, 9.
При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS. Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.
Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Строка не может быть деактивирована до тех пор, пока не закончится период Minimum Row Active Time (или tRAS).
Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это четвертая цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2-3-4-7, задержка tRAS для него будет равна 7 циклам.
Как и функция DRAM Act to PreCharg CMD, эта функция управляет минимальным временем активации строки банка памяти (tRAS). Под временем активации подразумевается период между активацией строки и моментом, когда данная строка может быть деактивирована. Это также период времени, в течение которого строка остается открытой.
Если период tRAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как деактивация всех активных строк задерживается. При уменьшении периода обновления активная строка может быть деактивирована быстрее.
Если период tRAS слишком мал, времени для завершения блоковой операции может не хватить. Это снижает производительность и способно привести к потере или повреждению данных.
Чтобы получить оптимальную производительность, используйте минимальное значение. Как правило, оно равно: CAS Latency (Время ожидания CAS) + tRCD + 2 цикла таймера. Например, если вы настроили CAS Latency на 2 цикла, а tRCD на 3 цикла, вы получаете значение, равное 7 циклам.
Если ваша система будет сообщать об ошибках или зависать, увеличьте значение tRAS на один цикл, чтобы стабилизировать работу.
SDRAM Row Cycle Time (Количество циклов строки SDRAM)
Обычные опции: 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13.
Эта функция BIOS управляет параметром Row Cycle Time (или tRC) для модуля памяти. Количество циклов строки определяет минимальное количество циклов, которое требуется строке памяти, чтобы пройти полный цикл от активации строки до ее обновления в активную строку.
