Четвертый способ. Ток зарядки — фиксированный, как правило, многократно превышающий 0,1Е. По достижении на аккумуляторе заданного напряжения зарядка заканчивается автоматически. Этот принцип долгое время использовался в самых лучших зарядных устройствах, потеснив систему зарядки аккумулятора малым током.
Установка порогового напряжения здесь весьма критична. Обычно его значение выбирают в пределах 1,45-1,55 В на аккумуляторную банку, чаще — 1,48 В. Пороговое напряжение зависит, к тому же, от температуры окружающей среды и «возраста» аккумулятора.
Неизменный ток зарядки здесь, вообще говоря, необязателен. Но это упрощает учет потерь на подводящих проводах. Если же не учитывать эти потери, то на аккумуляторе будет установлено заниженное пороговое напряжение, что обернется недобором заряда, а установленное лишь на один милливольт выше реального приведет к тому, что процесс зарядки аккумулятора никогда не кончится. Вернее, кончится тем, что аккумулятор либо перегреется при малом зарядном токе, либо взорвется при большом. Во избежание этого некоторые зарядные устройства по достижении напряжения, чуть меньше порогового, переходят на дозарядку аккумулятора безопасным током, которым ее и завершают, или переключаются в режим «капельного» заряда, то есть поддержания напряжения аккумулятора на определенном значении. Контроль уровня заряда осуществляется по изменению напряжения на клеммах аккумулятора (так называемый DV-метод).
Пятый способ. Процесс зарядки контролируют по скорости увеличения напряжения на аккумуляторе: оно быстро увеличивается непосредственно перед ее завершением. Отследив этот момент, зарядное устройство уменьшает большой ток зарядки (он доходит в них до 2?) до малого, безопасного, которым зарядка и завершается. По причинам, изложенным в описании способа 4, оба эти тока также лучше иметь фиксированными, не изменяющимися во времени.
Шестой способ. Как и в предыдущем случае, при зарядке постоянным током состояние аккумулятора определяют по скачку напряжения. Для получения хороших характеристик зарядку ведут током не менее 2Е. В таких зарядных устройствах обычно используют аналого-цифровые преобразователи, которые позволяют заметить 1-процентный скачок напряжения и вовремя прекратить зарядку. Таким зарядным устройствам не нужны регулировки, связанные с изменением числа заряжаемых аккумуляторов. В качестве защитной меры в них контролируется продолжительность зарядки.
Однако ни один из рассмотренных выше способов зарядки сам по себе не является оптимальным. Поэтому нередко они сочетаются.
По установившейся терминологии зарядка аккумулятора может быть очень быстрой (до 15 мин), быстрой (до 1 ч), ускоренной (до 3–4 ч), нормальной (от 12 до 16 ч) и медленной.
Реальная емкость аккумулятора зависит от температуры и значений тока зарядки и разрядки. Наибольшая измеренная емкость получается при зарядке аккумулятора большим током и разрядке малым.
Приложение 4. Список сокращений
Ниже приведен список некоторых англоязычных сокращений, которые часто встречаются в технической литературе и в периодических изданиях. Однако их перевод, возможно, не всем известен. Следует помнить, что указанные сокращения могут иметь не одно, а несколько различных значений. Здесь приведены наиболее распространенные варианты сокращений.
ASCII (American Standard Code for Information Interchan-Interchange) — американский стандартный код для обмена информацией. Набор семибитных кодов, которые присваиваются каждому знаку, распознаваемому компьютером.
BCD (Binary Coded Decimal) — двоично-десятичное число. Система гибридного двоичного счисления, кодирующая каждый десятичный разряд с помощью четырех бит.
BIOS (Basic Input/Output System) — базовая система ввода/вывода (БСВВ). Независимая от операционной системы программа взаимодействия с периферийными устройствами; при включении компьютера выполняет начальные тесты и инициализирует процессор.
BNS — байонетный разъем для коаксиального кабеля. Аналог отечественного СР-50.
CCD (Charger Coupled Device) — прибор с зарядовой связью (ПЗС). Электронное запоминающее устройство памяти, в котором пакеты электрически заряженных частиц непрерывно циркулируют через ячейки, нанесенные на полупроводник.
CPU (Central Processor Unit) — главная часть процессора. В широком смысле — сам процессор.
CS (Chip Select) — выбор кристалла. Вход интегральной схемы, предназначенный для ее активации при низком или высоком уровне сигнала. Этот вход имеется у всех ЗУ, у которых к выходной шине подключаются ячейки с тремя возможными состояниями.
DIN (Deutch International Normalization) — промышленный стандарт Германии. Стандарт для некоторых электрических соединительных элементов (разъемы DIN, шина DIN и т. д.).
DIP (Dual-in-line Package) — корпус с двухрядным расположением выводов. Термин для обозначения двухрядного расположения выводов интегральной схемы.
DVD (Digital Video (Versatile) Disk) — цифровой видеодиск (универсальный диск). Используется для хранения как видеоинформации, так и компьютерных данных в цифровом виде.
EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory) — электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство (ЭСППЗУ). Аналогично ППЗУ, но с электрическим стиранием при помощи программируемых процедур.
EPROM (Erasable and Programmable Read Only Memory) — стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство (СППЗУ).
FE (Falling Edge) — спад (задний фронт) импульса.
GAL (Generic Array Logic) — типовые матричные логические схемы со стиранием.
IR (Infra-red) — инфракрасное (ИК) излучение. Используется в устройствах дистанционного управления. IR — это также инициалы фирмы International Rectifier, производящей полупроводниковые приборы.
LCD (Liquid Crystal Display) — дисплей на жидких кристаллах.
LED (Light Emitting Diode) — светоизлучающий диод, светодиод.
LIFO (Last In First Out) — «последним пришел — первым обслужен». Принцип функционирования устройства, согласно которому в первую очередь обрабатывается элемент блока данных, поступивший последним.
LSB (Least Significant Bit) — младший бит (например D0).
LSI (Large Scale Integration) — большая интегральная схема (БИС). Интегральная схема с высокой степенью интеграции (большое число транзисторов).
MCU (Microcontroller Unit) — микроконтроллер. Микропроцессор в сочетании с разными периферийными устройствами (ЗУ, устройства входа/выхода и т. д.) на одном кристалле.
Modem (Modulator-demodulator) — модем (сокращение от термина модулятор-демодулятор). Устройство, преобразующее цифровые сигналы в аналоговые аудиосигналы, передаваемые другим компьютерам и принимаемые от них по телефонным линям связи.
ОЕ (Output Enable) — разрешение выхода. Вход микросхемы, аналогичный CS, который активизирует не сам компонент, а только его выход или выходы (при считывании данных из ЗУ).
PAL (Programmable Array Logic) — программируемые матричные логические схемы. Комплект логических элементов на кристалле, программируемый аналогично ППЗУ.
РСВ (Printed Circuit Board) — печатная плата.
РР (Peak-Peak) — размах сигнала, двойная амплитуда.
PROM (Programmable Read Only Memory) — программируемое постоянное (нестираемое) запоминающее устройство (ППЗУ).
PWM (Pulse Width Modulation) — широтно-импульсная модуляция (ШИМ).
RAM (Random Access Memory) — оперативное запоминающее устройство (ОЗУ). Энергозависимая память (содержимое теряется при отключении питания). Называется также оперативной памятью с произвольным доступом. Выполняется на элементах статической или динамической памяти (часто требует охлаждения).
RE (Rising Edge) — фронт импульса.
RMS (Root Mean Square) — эффективное (действующее) значение.
ROM (Read Only Memory) — постоянное запоминающее устройство (ПЗУ). ЗУ только для считывания (программируемое при изготовлении).
RS-232 — стандарт последовательной передачи данных от компьютера к периферийным устройствам.
RSA — разъем, используемый для передачи композитного видео- и аудиосигналов («тюльпан»).
RW (Read/Write) — считывание/запись. Вход/выход интегральной схемы, обычно запоминающего устройства, которое работает в режиме считывания или записи в зависимости от уровня управляющего логического сигнала. Одна из двух используемых букв имеет сверху черту (обозначающую логическое отрицание), что указывает на реализацию соответствующей функции при низком уровне сигнала.
