А теперь, давайте вернёмся на уровень микромира и попытаемся понять природу магнитного и электрического полей. Рассмотрим кристаллическую решётку, образованную атомами одного и того же элемента или атомами нескольких элементов (Рис. 3.3.14).
Рис. 3.3.14. Кристаллическая решётка любого твердого вещества неоднородна в разных пространственных направлениях. Это является результатом того, что синтез атомов происходит в неоднородном пространстве. Неоднородное пространство, взаимодействуя с неоднородной структурой атомов, вынуждает их ориентироваться и располагаться по отношению друг к другу в определённом порядке. Поэтому, практически, все кристаллы анизотропны, т. е., их свойства и качества различны в разных пространственных направлениях. В силу тех же причин их реакция на одно и тоже внешнее воздействие будет зависеть от того, в каком пространственном направлении это воздействие происходит. Поэтому, перепад мерности вдоль оптической оси кристалла получил название электрического поля Е, так как заставляет электроны перепрыгивать с орбиты одного атома на орбиту другого. В то время, как перепад мерности перпендикулярный оптической оси кристалла получил название магнитного поля В, так как, заставляет атомы или группы атомов переориентироваться в пространстве. Хотя, в обоих случаях присутствует перепад мерности пространства ΔL.
В твёрдом веществе соседние атомы смыкаются своими электронными оболочками и образуют жёсткую систему, а это означает, что искривления микропространства, вызванные ядром одного атома, смыкаются с искривлениями микропространства соседнего и т. д. и образуют между собой единую систему искривления микропространства для всех атомов, сомкнувшихся между собой и образующих, так называемые, домены. «Связанные» подобным образом, атомы создают единую систему, состоящую из сотен тысяч миллионов атомов. Все атомы, входящие в эту систему, имеют одинаковый уровень собственной мерности, который, в большинстве случаев, отличается от уровня мерности микропространства, в котором находится эта система атомов. В результате, возникает перепад мерности, направленный против перепада мерности макропространства. Формируется зона взаимодействия между микропространством и макропространством. Встречный перепад мерности подобных систем атомов приводит к компенсации деформации мерности макропространства, в котором происходит синтез физически плотного вещества. При завершении процесса синтеза вещества, в зоне деформации мерности макропространства происходит взаимная нейтрализация — деформация мерности макропространства нейтрализуется встречными деформациями микропространства. Причём, деформация мерности макропространства в физике получило название гравитационного поля, в то время, как встречная деформация микропространства, созданная системой из атомов доменов создаёт, так называемое, магнитное поле домена, на уровне одного домена и магнитное поле планеты, на уровне планеты.
Магнитное поле планеты возникает, как совокупность магнитных полей всех доменов, существующих в физически плотном веществе планеты в целом. Совокупное магнитное поле планеты — на порядки меньше гравитационного поля планеты только по одной простой причине — мириады микроскопических магнитных полей доменов всей планеты ориентированны хаотично друг относительно друга и только незначительная их часть сориентированы параллельно относительно друг друга и сохраняют свою намагниченность, создавая магнитное поле планеты. Причём, домены образованные разными атомами, обладают и разной степенью намагничниченности. Намагниченность определяется способностью данного домена сохранять определённую направленность магнитного поля домена и в физике определяется площадью петли гистерезиса. Максимально свойства намагничивания проявляются у железа, сонастроенность доменов которого в масштабе планеты и формирует в основном магнитное поле планеты. Именно по этой причине аномальные залежи железосодержащих руд создают магнитные аномалии — локальные возмущения магнитного поля планеты в пределах данных аномалий.
Теперь, давайте разберёмся, какое влияние магнитное поле — встречный перепад мерности пространства — оказывает на сами атомы, его порождающие. При наличии магнитного поля, электроны атомов становятся более неустойчивыми, что в значительной степени увеличивает возможность их перехода не только на высшие орбиты одного и того же атома, но и возможность полного распада электрона у одного атома и синтез его у другого. Аналогичные процессы происходят, при поглощении атомом волн; отличие заключается лишь в том, что поглощение волн фотонов происходит каждым атомом в отдельности, в то время, как, под воздействием магнитного поля в возбуждённом состоянии одновременно оказываются миллиарды атомов одновременно, без какого-либо существенного изменения их агрегатного состояния (Рис. 3.3.15).
Рис. 3.3.15. Постоянное магнитное поле В представляет собой перепад мерности пространства, который накладывается на кристаллическую систему в направлении, перпендикулярном оптической оси кристалла. И если условно принять верхнюю границу устойчивости физически плотного вещества за «север», а нижнюю — за «юг», то перепад мерности с юга на север выступает, как северный магнитный полюс, а перепад мерности с севера на юг выступает, как южный магнитный полюс. Эти отличия определяются неоднородностью кристаллов в указанных направлениях (верх-низ). Неоднородность свойств кристаллических решёток связана с пространственной ориентацией электронных орбит. Поэтому перепад мерности с «юга на север» облегчает «переходы» электронов с орбиты на орбиту, как внутри отдельного атома, так и между соседними атомами кристаллической решётки. В то время, как перепад мерности с «севера на юг» — в значительной степени, затрудняет указанные переходы.
A1, A2 — ядра атомов кристаллической структуры.
1. Постоянное магнитное поле.
B — перепад мерности вдоль оптической оси кристалла.
При наличии продольного перепада мерности, называемого постоянным электрическим полем, внешние электроны атомов, ставшие неустойчивыми под воздействием поперечного перепада мерности, называемого постоянным магнитным полем, начинают распадаться на материи их образующие и, под воздействием продольного перепада мерности, начинают двигаться вдоль кристаллической решётки от большего уровня мерности, называемого плюсом, к меньшему уровню мерности, называемого минусом (Рис. 3.3.16).
Рис. 3.3.16. Постоянное электрическое поле Е представляет собой перепад мерности вдоль оптической оси кристаллических решёток. Направление электрического поля может быть, как с «запада на восток», так и с «востока на запад». При этом свойства электрического поля будут тождественны в силу того, что кристаллические решётки в данных направлениях тождественны. Природа электрического поля проста. Оно создаёт «гравитационный ветер». Перепад мерности вдоль оптической оси сносит электроны с электронной орбиты одного атома на орбиты другого во время фазы между материализациями электрона. Атомы расположенные вдоль оптической оси кристалла попадают под различное по силе влияние перепада мерности, в результате чего происходит перераспределение электронов у атомов вдоль оптической оси, что и создаёт, так называемый, электрический ток — направленное движение электронов от плюса к минусу.
A1, A2 — ядра атомов кристаллической структуры.
2. Постоянное электрическое поле.
E — Перепад мерности вдоль оптической оси кристалла.
Продольный поток первичных материй, высвободившихся при распаде внешних электронов одних атомов, попадая в расположение других атомов с меньшим уровнем собственной мерности, вызывает у этих атомов синтез электронов. Другими словами, электроны «исчезают» у одних атомов и «появляются» у других. Причём, это происходит одновременно с миллионами атомов одновременно и в определённом направлении. В так называемом, проводнике возникает постоянный электрический ток — направленное движение электронов от плюса к минусу. Только, в предложенном варианте объяснения, становится предельно ясно, что такое направленное движение, что такое «плюс» и «минус» и, наконец, что такое «электрон». Все эти понятия никогда не объяснялись и принимались, как должное. Только, чтобы быть предельно точным, следует говорить не о «направленном движении электронов от плюса к минусу», а о направленном перераспределении электронов вдоль проводника.
Как стало ясно из вышеизложенного объяснения, электроны не движутся вдоль проводника, они исчезают в одном месте, где уровень собственной мерности атомов становиться критическим для существования внешних электронов и образуются у атомов, у которых выполняются необходимые для этого условия. Происходит дематерилизация электронов в одном месте и материализация их в другом. Подобный процесс происходит в природе постоянно, хаотично и поэтому становится наблюдаемым только в случае управления этим процессом, что и осуществляется при искусственном создании направленного перепада мерности вдоль проводника. Хотелось бы отметить, что причинами проявления, как магнитного поля, так и электрического, являются перепады мерности (градиенты мерности) пространства, которые принципиально не отличаются друг от друга. Как в одном случае, так и в другом это перепад мерности между двумя точками пространства, имеющими, по той или иной причине, разные уровни собственной мерности. Различие в проявлении этих перепадов обусловлено только их пространственной ориентировкой по отношению к кристаллической решётке. Взаимоперпендикулярность двух перепадов мерности относительно, так называемой, оптической оси кристалла, приводит к качественному отличию реакции каждого атома на эти перепады мерности при полной тождественности природы самих перепадов. Анизотропность качественной структуры, как макропространства, так и микропространства приводит к качественно другим реакциям материи, заполняющей эти пространства, как на уровне макропространства, так и на уровне микропространства.
