Как стало ясно из вышеизложенного объяснения, электроны не движутся вдоль проводника, они исчезают в одном месте, где уровень собственной мерности атомов становиться критическим для существования внешних электронов и образуются у атомов, у которых выполняются необходимые для этого условия. Происходит дематерилизация электронов в одном месте и материализация их в другом. Подобный процесс происходит в природе постоянно, хаотично и поэтому становится наблюдаемым только в случае управления этим процессом, что и осуществляется при искусственном создании направленного перепада мерности вдоль проводника. Хотелось бы отметить, что причинами проявления, как магнитного поля, так и электрического, являются перепады мерности (градиенты мерности) пространства, которые принципиально не отличаются друг от друга. Как в одном случае, так и в другом это перепад мерности между двумя точками пространства, имеющими, по той или иной причине, разные уровни собственной мерности. Различие в проявлении этих перепадов обусловлено только их пространственной ориентировкой по отношению к кристаллической решётке. Взаимоперпендикулярность двух перепадов мерности относительно, так называемой, оптической оси кристалла, приводит к качественному отличию реакции каждого атома на эти перепады мерности при полной тождественности природы самих перепадов. Анизотропность качественной структуры, как макропространства, так и микропространства приводит к качественно другим реакциям материи, заполняющей эти пространства, как на уровне макропространства, так и на уровне микропространства.
Понимание природы постоянного магнитного и электрического полей и природы их влияния на качественное состояние физически плотной материи позволяет понять и природу переменного электромагнитного поля. Переменное магнитное поле влияет на один и тот же атом по-разному, в разных фазах своего качественного состояния. При нулевой напряжённости переменного магнитного поля, естественно, влияние на качественное состояние атомов кристаллической решётки равно нулю. При прохождении через кристаллическую решётку условно положительной фазы напряжённости переменного магнитного поля, каждый атом начинает терять свои внешние электроны вследствие того, что дополнительное внешнее воздействие перепада мерности влияет на качественное состояние электронных оболочек атомов, не влияя существенно на качественное состояние атомных ядер. В результате этого, некоторые внешние электроны становятся неустойчивыми и распадаются на материи, их образующие. При прохождении условно отрицательной фазы напряжённости переменного магнитного поля наоборот создаются условия для синтеза электронов в зонах деформации микропространства, созданных под воздействием атомных ядер. Поэтому, при прохождении волны переменного магнитного поля через кристаллическую решётку возникает любопытная картина. Если у данного атома или атомов под воздействием магнитного поля внешние электроны стали неустойчивыми и распались на материи их образующие, то у впереди лежащих по оптической оси атома или атомов, та же самая волна создаёт благоприятные условия для синтеза электронов (Рис. 3.3.17).
Рис. 3.3.17. Переменное магнитное поле В представляет собой периодическое (волнообразное) изменение мерности пространства в направлении, перпендикулярном оптической оси кристалла. При этом один и тот же атом кристаллической решётки периодически попадает под перепады мерности, как в направлении с «юга на север», так и в направлении с «севера на юг». В силу чего периодически каждый атом оказывается в разных качественных условиях. В результате этого каждый атом будет периодически оказываться в условиях, когда его электроны то «прикреплены» к своему атому более жёстко, то наоборот практически «свободны», в зависимости от того, в каком направлении действует перепад мерности на данном отрезке оптической оси кристалла. Естественно, разные кристаллы, состоящие из атомов разных элементов, будут реагировать на подобные перепады мерности по-разному в силу того, что они имеют разные ядра и разное число электронов с разными электронными оболочками. Наиболее слабо электроны «связаны» со своими атомами у металлов, которые носят название проводников электричества.
Это создаёт перепад мерности (электрическое поле), смещённый по фазе на π/2 у расположенных впереди по оптической оси атомов, перпендикулярно переменному магнитному полю, вследствие чего, у этих атомов происходит синтез дополнительных электронов (Рис. 3.3.18).
Рис. 3.3.18. Переменное электрическое поле Е представляет собой периодическое (волнообразное) изменение мерности пространства вдоль оптической оси кристалла. При этом один и тот же атом кристаллической решётки периодически попадает под перепады мерности, как в направлении с «запада на восток», так и в направлении с «востока на запад». В результате чего происходит периодическое перераспределение электронов вдоль оптической оси, как в одном, так и в другом направлении. Возникает переменный электрический ток. Один и тот же атом попадает под противоположные перепады мерности вдоль оптической оси кристаллической решётки. При этом каждый атом то теряет электроны, то получает их от соседних атомов. При этом регулированием амплитуды и частоты можно получить новые качественные состояния физической материи за счёт кратковременного перехода атома или группы атомов на уровни мерности выше или ниже оптимального для данного элемента. Такие переходы провоцируют излучение или поглощение этими атомами фотонов, на которые данные атомы не реагируют в своём обычном состоянии.
Дополнительно синтезированные электроны, в свою очередь, создают перпендикулярно электрическому полю смещённый по фазе на π/2 перепад мерности (магнитное поле). И, как следствие всего этого, по проводнику происходит распространение переменного электрического тока вдоль оптической оси (Рис. 3.3.19). По аналогичному принципу в пространстве распространяются электромагнитные волны.
Рис. 3.3.19. Если вспомнить, что переменное магнитное поле В представляет собой перепад мерности перпендикулярно оптической оси в направлениях «с севера на юг» и с «юга на север», то результатом такого периодического воздействия на пространственно неоднородную структуру физически плотного вещества является потеря или приобретение дополнительных электронов атомом или группой атомов вдоль оптической оси кристаллической решётки. Периодическая потеря или приобретение атомами электронов есть ни что иное, как переменный электрический ток. Таким образом переменное магнитное поле порождает переменное электрическое поле и наоборот. При этом «рождение» электрического поля происходит с некоторой задержкой, с так называемой, сдвижкой по фазе, что создаёт условия для возможности распространения электромагнитных волн в пространстве. Магнитное и электрическое поля, как постоянные, так и переменные, являются результатом воздействия на пространственно неоднородное физически плотное вещество одного и того же по своей природе перепада мерности в разных направлениях.
Таким образом, переменное магнитное поле порождает в проводнике переменный электрический ток, который, в свою очередь, порождает переменное магнитное поле в том же проводнике. При наличии вблизи одного проводника с переменным магнитным полем другого, в последнем возникает так называемый индуцированный электрический ток. И, как следствие, появилась возможность создать генератор электрического тока, в котором вращательное движение турбины преобразуется в переменный электрический ток. Наложение на конкретное микропространство, с конкретными свойствами и качествами внешнего воздействия, в виде перепада (градиента) мерности приводит к тому, что свойства и качества микропространства в зоне наложения изменяются. В силу того, что пространство, как на макроуровне, так и микроуровне — анизотропно, т. е., свойства и качества пространства не одинаковы в разных направлениях, дополнительные внешние перепады мерности, в зависимости от того, в каком из направлений пространства они проявляются, будут вызывать различные реакции физически плотного вещества, заполняющего это пространство. При одной и той же природе перепада мерности, именно анизотропность пространства приводит к тому, что реакция физически плотной материи зависит от того, в каком из пространственных направлений проявляется этот перепад. Именно поэтому природа магнитного и электрического полей — тождественна, как ни парадоксально это звучит. Различие их свойств и качеств определяется именно их пространственными характеристиками. Именно тождественность природы магнитного и электрического полей и создаёт возможность их взаимодействия и взаимоиндуцирования.
